Samsung Electronics розробляє перші в галузі мікрочіпи пам'яті LPDDR5 DRAM ємністю 8 Гбіт, які будуть виготовлятися за технологією 10-нанометрового класу.
Нові чіпи призначені для використання в смартфонах з підтримкою мобільного зв'язку п'ятого покоління (5G), а також в пристроях із штучним інтелектом (AI).
Рішення LPDDR5 забезпечують швидкість передачі даних до 6400 Мбіт/с, що приблизно в півтора рази вище в порівнянні з сучасними чіпами LPDDR4X (4266 Мбіт/с). LPDDR5 DRAM будуть пропонуватися у двох модифікаціях: 6400 Мбіт/с з робочою напругою 1,1 В і 5500 Мбіт/с з 1,05 В.
В Samsung Electronics вказують, що нові чіпи характеризуються високою енергетичною ефективністю, яка здатна економити енергоспоживання на третину в порівнянні з рішеннями попереднього покоління.
Нові чіпи пам'яті знайдуть застосування в мобільних пристроях нового покоління, автомобільних медіацентрах, системах машинного навчання та інших пристроях. Їх масове виробництво планується почати після отримання відповідних замовлень від учасників ринку.
